シリコン基板(Si基板)

シリコン基板　

標準品として正方形タイプ／ウェハータイプがございます。

　◆正方形タイプ

製品	研磨	面方位	伝導型	製造方法	セット枚数	価格	購入
10×10×0.5ｔ（mm）	両面光学研磨	＜100＞	N型	CZ法	5	¥5,000(税込 ¥5,500)
10×10×0.5ｔ（mm）	両面光学研磨	＜100＞	N型	CZ法	10	¥9,000(税込 ¥9,900)
10×10×0.5ｔ（mm）	両面光学研磨	＜100＞	N型	CZ法	50	¥35,000(税込 ¥38,500)
10×10×0.5ｔ（mm）	両面光学研磨	＜100＞	N型	CZ法	100	¥58,000 (税込 ¥63,800)

【注意事項】

※切断面に約20度程度の傾きがあります

※切断面に0.1ｍｍ以下のチッピングがあります

【使用例】

・赤外光（IR）の透過用窓材、赤外光学デバイス材料

・半導体デバイス（トランジスタ、ダイオード、集積回路など）の試作や研究

・各種素子（センサーやMEMS、光素子など）の評価

・電子の伝導性や電子状態、磁気効果などの研究

　◆ウェハータイプ

製品	研磨	面方位	伝導型	製造方法	セット枚数	価格	購入
3インチ(直径76.2±0.63mm) 厚み381±25㎛ ※オリフラ22.22±3.17mm	片面ミラー(鏡面研磨) 裏面エッチド	＜100＞	N型	CZ法	25	¥92,800(税込 ¥102,080)
4インチ(直径100.0±0.5mm) 厚み520±25㎛ ※オリフラ32.5±2.5mm	片面ミラー(鏡面研磨) 裏面エッチド	＜100＞	N型	CZ法	25	¥92,800(税込 ¥102,080)
6インチ(直径150.0±0.5mm) 厚み675±25㎛ ※オリフラ57.5±2.5mm	片面ミラー(鏡面研磨) 裏面エッチド	＜100＞	N型	CZ法	25	¥117,800(税込 ¥129,580)

※クリーン梱包です。

【使用例】

・半導体デバイスの開発

・マイクロエレクトロニクス実験

・ナノテクノロジー研究

・薄膜研究

・MEMS研究

【使用プロセス例】

・フォトリソグラフィー

・イオン注入、エッチング

・微細加工

・化学気相成長(CVD)、物理気相成長(PVD)

・スパッタリング

・エピタキシャル成長